Продукти

Нітриди кремнію підкладка
video
Нітриди кремнію підкладка

Нітриди кремнію підкладка

Матеріал: Si3N4 Керамічні
Теплопровідність: 85 Вт/м.К
Щільність: 3.20 г/см3
Колір: Сірий
Максимальна температура: 1200 градусів C
Послати повідомлення
Введення продукту

Нітридний субстрат кремнію від UNIPRETEC виготовлений з кераміки Si3N4. З метою зменшення забруднення навколишнього середовища і створення зеленої економіки все більш важливим стало ефективне використання електроенергії, що також висуває більш високі вимоги до субстратів розсіювального тепла в електронних пристроях. Недоліки традиційних керамічних субстратів, таких як AlN, Al2O3 і BeO, з яких все більш помітні, такі як зниження теоретичної теплопровідності і погані механічні властивості, серйозно перешкоджають його розвитку. У порівнянні з традиційними керамічними субстратними матеріалами, нітрид кремнію кераміка поступово стала новим передовим вибором матеріалу для розсіювального тепла для електронних пристроїв завдяки відмінній теоретичній теплопровідності і хорошим механічним властивостям.

Однак фактична теплопровідність плити Si3N4 набагато нижче теоретичної теплопровідності, а деякі високопровідні нітридні керамічні субстрати кремнію (>150 Вт/м·К) все ще знаходяться в лабораторній стадії. До факторів, що впливають на теплопровідність нітридної кераміки кремнію, відносяться решітка кисню, кристалічна фаза, межі зерна. Крім того, перетворення кристалічного типу і орієнтація кристалічної осі також можуть певною мірою вплинути на теплопровідність нітриду кремнію. Як домогтися масового виробництва керамічного субстрату Si3N4 - теж велика проблема.


Технічний аркуш даних

пункт

Одиниці

CS-Si3N4

густота

г/см3

> 3,2

колір

-

сірий

Водопоглинання

%

0

Сторінка війни

-

<>

Шорсткість поверхні (Ra)

умм

0.2 - 0.6

Міцність на згинання

Мпа

> 800

Теплопровідність (25 °C)

Вт/м.К

> 85

Коефіцієнт теплового розширення (25 - 300 °C)

10 -6мм/°C

2.7

Коефіцієнт теплового розширення (300 - 800 °C)

10 -6мм/°C

3.2

Максимальна робоча температура

°C

<>

Діелектрична міцність

КВ/мм

> 15

Діелектрична константа

1 МГц

8-10

Електричний опір (25 °C)

Ω·см

> 1014

∆ Наведених вище даних пропонується лише для довідки та порівняння, точні дані будуть відрізнятися залежно від способу виготовлення та конфігурації деталей.


З метою вирішення цих завдань UNIPRETEC прагне до безперервної оптимізації пов'язаних процесів підготовки, а фактична теплопровідність нітриду кремнію також постійно вдосконалюється. З метою зниження вмісту кисню в решітці, в першу чергу знижують вміст кисню при підборі сировини. З одного боку, в якості стартового матеріалу може використовуватися порошок Si з відносно невеликим вмістом кисню. По-третє, вибір відповідних засобів спікання також може підвищити теплопровідність за рахунок зниження вмісту кисню. Крім того, додаючи кристали насіння і збільшуючи температуру спікання для сприяння перетворенню кристалічної форми, і, застосовуючи магнітне поле, щоб зерна зростали спрямованими, теплопровідність може бути певною мірою поліпшена. Для того, щоб задовольнити вимоги до розмірів електронних пристроїв, UNIPRETEC використовує процес лиття стрічки для приготування нітридного листа кремнію, пластини, підкладки.

Популярні Мітки: нітриду кремнію, Китай, постачальники, виробники, фабрика

(0/10)

clearall